存储芯片行业主要上市公司：中芯国际(688981)、兆易创新(603986)、紫光国微(002049)、普冉股份(688766)、聚辰股份(688123)、澜起科技(688008)、北京君正(300223)等

本文核心数据：DRAM/NAND Flash/NOR Flash市场份额、市场集中度

1、全球存储芯片行业竞争层次

目前，全球存储芯片市场高度集中，代表企业包括韩国的三星、SK海力士;美国的美光、西部数据;日本的铠侠等，我国企业中长江存储、长鑫存储分别在NAND Flash、DRAM市场中不断发力，已在部分领域实现突破，逐步缩小与国外原厂的差距;在NOR Flash全球市场中，我国企业兆易创新占据前三，兆易创新集团旗下还包含长鑫存储(CXMT)，意味着兆易创新集团同时握有中国NOR Flash与DRAM的自主研发能力，扮演中国半导体存储产业发展的重要角色。

2、全球存储芯片行业市场份额

从存储芯片细分产品来看，DRAM和NAND Flash占据了存储芯片95%左右的市场份额，DRAM、NAND Flash和NOR Flash为存储芯片三大主流产品。2020年，全球DRAM市场中三星、SK海力士、美光市场份额分别达到42.71%、29.27%、22.52%;NAND Flash经过几十年的发展，已经形成了由三星、铠侠、西部数据、美光、SK海力士、英特尔六大原厂组成的稳定市场格局;全球NOR Flash市场中华邦、旺宏、兆易创新排名前三，市占率分别为25.4%、22.5%、15.6%。

3、全球存储芯片行业市场集中度

整体来看，全球存储芯片行业集中度较高，从存储芯片三大主流产品来看，2020年DRAM和NAND Flash市场集中度(CR3、CR5)较2019年略有下降，但仍然保持在较高水平(2020年DRAM和NAND Flash市场CR5分别达到98.48%、89.17%，NOR Flash市场CR5也达到78.4%)。

4、全球存储芯片行业企业布局及竞争力评价

从全球存储芯片企业业务布局来看，三星、SK海力士、美光在主要存储芯片产品NAND Flash和DRAM产品中占据绝对优势地位，铠侠、西部数据、长江存储主要布局在NAND Flash领域，兆易创新产品包含NOR Flash、小容量NAND Flash、以及少量DRAM(由合肥长鑫生产)。国外企业大多采取IDM模式(企业业务覆盖存储芯片的设计、制造、封装和测试的所有环节)，我国企业中兆易创新采取Fabless模式(无晶圆生产线集成电路设计模式)。

5、全球存储芯片行业竞争状态总结

从五力竞争模型角度分析，存储芯片行业现有竞争者数量较少，行业集中度较高，企业纷纷加大存储芯片新技术工艺的推进力度，行业现有竞争者竞争较为激烈;从上下游来看，由于存储芯片行业被国际巨头垄断，存储芯片对上游供应商和下游购买者的议价能力较高;从替代品威胁来看，由于行业产品特性和技术特征，存储芯片行业替代品威胁较小;从潜在进入者威胁来看，目前，对于潜在进入者而言，存储芯片行业市场对手过于强大，受资金和技术限制，行业进入壁垒较高，因此存储芯片行业潜在进入者的威胁不大。

以上数据参考前瞻产业研究院《中国存储芯片行业市场需求与投资前景预测》，同时前瞻产业研究院还提供产业大数据、产业研究、产业链咨询、产业图谱、产业规划、园区规划、产业招商引资、IPO募投可研、招股说明书撰写等解决方案。

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